继本年2月首先完结HBM4量产商用后，三星再度领跑下一代AI存储赛道。今天，三星已开端向首要全球客户交给业界第一批12层48GB HBM4E样品。在完结开端样品交给和优化后，三星方案依照每个客户的发展组织开端批量出产HBM4E。
此外，三星已规划扩展产品阵型，后续将推出8层32GB型和16层64GB型，以满意多种客户的多样化算力需求。
HBM（高带宽存储器）是AI加快芯片的中心配套部件，其带宽与容量直接决议AI练习与推理的功率。当时，HBM商场由三星、SK海力士和美光主导，此前SK海力士在HBM3及HBM3E阶段占有明显先发优势。
三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十代迭代，2026年2月，三星量产HBM4，是全球首家完结HBM4量产的企业。
据三星介绍，作为HBM4的迭代晋级产品，12层HBM4E选用第六代10纳米(nm)级DRAM工艺(1c)和三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在功能、容量、能效与散热方面均有大幅度的进步，专为大模型、生成式AI及高功能核算场景打造，与HBM4比较——
功能：其HBM4E可供应安稳的14 Gbps引脚传输速度，功能可扩展至16Gbps，以满意日渐增加的数据处理需求；与HBM4比较，功能进步超越20%，一起每个仓库的内存带宽高达3.6TB/s，有助于最大极限地进步大模型和下一代AI体系的核算功能。
容量：HBM4E供应48GB的容量，比上一代产品增加了30%以上，并方案依照每个客户需求扩展产品线层）装备。
能效和散热：低功耗规划与封装优化使能效进步16%，热阻改进超14%，散热功率明显增强，可下降AI数据中心高负载能耗。
作为当时HBM商场的比例领导者，SK海力士的HBM4于2025年9月量产；HBM4E方案2026年下半年送样、2027年量产，其HBM4E将选用根据1c nm制程的DRAM裸片，根底裸片则由台积电选用3nm工艺出产；美光的HBM4产能爬坡发展顺畅，方案于2027年量产HBM4E，音讯称其HBM4E将选用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光初次在量产工艺中引进EUV光刻设备，根底裸片将托付制作。
TrendForce剖析指出，上述三大供货商正逐渐将工业重心由良率竞赛转向定价权与下代代标准主导，虽传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍保持均衡产品组合，并看好HBM长时间合约价走高，横向比照来看，当时除HBM以外的各类DDR及消费级存储，历经前期多轮提价后价格已全体处于相对高位，而HBM的提价盈利没有充沛开释。
海通世界证券称，随同2027年全球AI服务器出货量继续高增、HBM3e/HBM4迭代浸透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍继续束缚供应开释，看好HBM后续提价预期。
